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北京晨晶申请多层硅电容器堆叠器件专利，提升硅电容器电容密度:电容器
金融界2025年4月22日消息，国家知识产权局信息显示，北京晨晶电子有限公司申请一项名为“多层硅电容器堆叠器件及其封装方法”的专利，公开号CN119852097A，申请日期为2024年12月电容器。
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金融界2025年4月22日消息，国家知识产权局信息显示，北京晨晶电子有限公司申请一项名为“多层硅电容器堆叠器件及其封装方法”的专利，公开号CN119852097A，申请日期为2024年12月电容器。