浙江驰拓科技申请TMR传感器磁响应单元及垂直型TMR传感器专利 提高TMR传感器的灵敏度:传感器

金融界2025年6月9日消息,国家知识产权局信息显示,浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“一种TMR传感器的磁响应单元及垂直型TMR传感器”的专利,公开号CN120103240A,申请日期为2023年12月传感器

专利摘要显示,本发明公开了一种TMR传感器的磁响应单元及垂直型TMR传感器,应用于磁传感器技术领域,包括:固定层;位于固定层一侧表面的势垒层;位于势垒层背向固定层一侧表面的第一自由层;位于第一自由层背向固定层一侧的第二自由层;第一自由层与第二自由层铁磁耦合;第二自由层的饱和磁化强度小于第一自由层的饱和磁化强度,第二自由层的厚度大于第一自由层的厚度传感器 。通过具有第一自由层与固定层、势垒层形成高TMR结构,使得TMR传感器具有高磁阻率;而通过第二自由层可以使得有第一自由层与第二自由层所形成的自由层整体的各向异性场小于第一自由层单独所形成的各向异性场,提高TMR传感器的灵敏度。

天眼查资料显示,浙江驰拓科技有限公司,成立于2016年,位于杭州市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业传感器 。企业注册资本17714.088889万人民币。通过天眼查大数据分析,浙江驰拓科技有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目92次,财产线索方面有商标信息10条,专利信息427条,此外企业还拥有行政许可7个。

来源:金融界

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