金融界2025年5月13日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“电容器件、其形成方法和电子设备”的专利，公开号CN119968112A，申请日期为2023年11月电容器。
专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种电容器件、其形成方法和电子设备，电容器件包括：底部导体层，位于基底上；位于基底上的多层导体层，多层导体层包括自所述基底依次层叠设置的底部导体层、至少一层中间导体层和顶部导体层；介电层，位于相邻的所述底部导体层与所述中间导体层之间、相邻的两所述中间导体层之间、以及相邻的所述中间导体层与所述顶部导体层之间；各所述中间导体层的至少之一具有台阶部，各所述台阶部中至少之一的台阶侧壁为朝向所述基底延伸且相对于基底平面倾斜的过渡面电容器。本申请能够优化电容器件的性能和可靠性。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业电容器。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息149条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。
来源：金融界