元器件失效分析方法

1、收集现场数据

电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。

连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试，现场失效多数由静电放电（ESD）和过电应力（EOS）引起。

电参数失效，需进行较复杂的测量，主要表现形式有参数值超出规定范围（超差）和参数不稳定。

确认功能失效，需对元器件输入一个已知的激励信号，测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同，则元器件功能正常，否则为失效,功能测试主要用于集成电路。

三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下，有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测，结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。

X-Ray检测，即为在不破坏芯片情况下，利用X射线透视元器件（多方向及角度可选），检测元器件的封装情况，如气泡、邦定线异常，晶粒尺寸，支架方向等。

适用情境：检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout

优势：工期短，直观易分析

劣势：获得信息有限

局限性：

1、相同批次的器件，不同封装生产线的器件内部形状略微不同；

2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来，必须通过功能测试及其他试验获得。

案例分析：

X-Ray 探伤----气泡、邦定线

X-Ray 真伪鉴别----空包弹（图中可见，未有晶粒）

“徒有其表”

下面这个才是货真价实的

X-Ray用于产地分析（下图中同品牌同型号的芯片）

　X-Ray 用于失效分析（PCB探伤、分析）

（下面这个密密麻麻的圆点就是BGA的锡珠。下图我们可以看出，这个芯片实际上是BGA二次封装的）